Ежегодное производство 4000 тонн полировальной жидкости CMP для проекта по производству дымящего кремнезема.

1 Предыстория проекта

В условиях обострения китайско-американских трений в торговой войне обострилась конкуренция за автономный контроль над полупроводниковыми материалами. Особенно в последние годы новые производственные мощности моей страны стали основным источником роста мировых фабрик, но ключевые сырьевые ресурсы и производственное оборудование, которые ограничивают усиление полупроводниковой промышленности, по-прежнему почти монополизированы американскими и японскими компаниями. Это дальнейшая блокада производства микросхем, которая является практически ударом по развитию полупроводниковой промышленности моей страны. Таким образом, подчеркнута стратегическая позиция локализации полупроводниковых материалов, а ускорение процесса импортозамещения в материальной сфере является общей тенденцией.

2 Описание продукта

Химико-механическая полировка CMP (ChemicalMechanicalPolishing) представляет собой сочетание химической коррозии и механического трения. В настоящее время это наиболее распространенная технология сглаживания поверхности полупроводниковых материалов. Он сочетает в себе преимущества механического трения и химической коррозии, что позволяет избежать повреждения поверхности, вызванного простой механической полировкой и низкой скоростью полировки, плоскостностью поверхности и полировкой, вызванной простой химической полировкой. Недостатки, такие как плохая консистенция. Можно получить относительно идеальную поверхность пластины.

Во всем мире общепринято, что когда размер элемента устройства меньше 0,35 мкм, необходимо выполнить глобальную планаризацию, чтобы обеспечить точность и разрешение передачи литографического изображения, а CMP в настоящее время является практически единственной технологией, которая может обеспечить глобальную планаризацию. Принципиальная схема его оборудования следующая:

Шлифовальная жидкость: жидкое вещество, добавляемое во время измельчения. Размер частиц связан с такими дефектами, как царапины после шлифовки. Чем крупнее частица, тем больше повреждение пластины, а чем меньше частица, тем лучше. Базовая форма состоит из нанопорошкового полирующего агента и водного раствора щелочного компонента. Размер частиц составляет 1-

100 нм, концентрация 1,5-50%, основной состав обычно представляет собой КОН, аммиак или органический амин, а pH составляет 9,5-11.

Благодаря высокой чистоте коллоидного кремнезема, контролируемому исходному наноразмеру частиц и распределению частиц по размерам, коллоидный SiO2 становится основным абразивом в оксидной полирующей суспензии.

3 Материалы проекта:

Порошок металлического кремния, соляная кислота, водород. Ежегодное производство 1000 тонн наногазообразного диоксида титана. Проект Ежегодное производство 20 000 тонн специальной бумаги. Проект специального легкого карбоната кальция. Ежегодное производство 1000 тонн проекта BIPB (DCP без запаха). Продолжение исследований и разработок.

4. Объекты поддержки проекта:

Химические промышленные парки, пар, электричество, техническая вода.

5. Технические преимущества

Патент: Устройство для получения диоксида кремния и оксидов металлов газофазным методом.

Патент: Устройство и способ получения трихлорсилана и тетрахлорида кремния высокой чистоты.

6. Общий объем инвестиций проекта составляет 150 миллионов юаней.

7. Площадь проекта: 30 акров.

8. Экономические выгоды